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深度剖析CMOS、FinFET、SOI和GaN工藝技術(shù)

淺談半導體工藝變革

半導體器件中材料、工藝結構、模型之間的關(guān)系

拯救摩爾定律，要靠納米級芯片？

3nm以后的晶體管選擇

晶體管發(fā)展歷史

集成電路制造技術(shù)簡(jiǎn)史

FDSOI與深度耗盡溝道DDC器件

多少年了，終于明白了FinFET與FD-SOI制程

納米片晶體管是摩爾定律的下一步，也許是最后一步！

前沿 | 揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結構

最后的硅晶體管，納米片器件也許是摩爾定律演進(jìn)的最后一步

全球半導體技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)圖解析

功率晶體管的歷史和新興設計

外國小伙打造出家庭芯片工廠(chǎng)！濺射、氧化、光刻、蝕刻、綁定、封裝全包括！高中時(shí)期就制出集成放大器，目前工藝已達10微米

納米集成電路制造工藝-CMOS邏輯電路及存儲器制造流程

Intel 14/10nm花式吊打三星、TSMC，還要跟GF搶市場(chǎng)

傳統的硅晶體管或被它取代

趨勢|FinFET之父預測未來(lái)：負電容晶體管和堆疊二維晶體管

胡正明：技術(shù)創(chuàng )新可能讓半導體晶體管密度再增加1000倍.胡正明發(fā)明了鰭型晶體管（FinFET）以及「全耗盡型絕緣層上硅晶體管」（FD-SOI），兩大革命性創(chuàng )新為半導體帶來(lái)新契機

芯片中有100多億晶體管，它們是如何安上去的？

1nm將如何實(shí)現？

3納米芯片工藝節點(diǎn)所面臨的技術(shù)難點(diǎn)：實(shí)現難度大幅增加

中國科學(xué)家的1nm晶體管設計 驚艷了全世界：前途一片光明

實(shí)現1nm以下的工藝，有了新方案

5nm？3nm？芯片制程的極限究竟在哪里?