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屏蔽是利用屏蔽體來(lái)阻擋或減小電磁能傳輸的一種技術(shù)，是抑制電磁干擾的重要手段之一。對于大部分設備的EMC設計而言，屏蔽都是必要的。

特別是隨著(zhù)電路工作的頻率日益提高，單純依靠線(xiàn)路板設計往往不能滿(mǎn)足電磁兼容標準的要求。而且一般如果在結構設計時(shí)沒(méi)有考慮電磁屏蔽的要求，很難將屏蔽效果加到產(chǎn)品上。所以，對于現代電子產(chǎn)品設計，必須從開(kāi)始就考慮屏蔽的問(wèn)題。

屏蔽有兩個(gè)目的，一是限值內部輻射的電磁能量泄漏出該內部區域，二是防止外來(lái)的輻射干擾進(jìn)入某一區域。

電磁波經(jīng)過(guò)一種材料會(huì )產(chǎn)生如下圖3種情況：反射、吸收和透過(guò)。

所以屏蔽材料必須擁有反射或吸收的特性。

目前主流的電磁屏蔽解決方案材料有：
不銹鋼、銅箔、鋁箔、導電涂料、電磁波吸收材料（鐵氧體、鎳粉、碳黑、羰基鐵等）。

屏蔽是結構工程師對電子產(chǎn)品是一種非常實(shí)用的手段，特別是消費類(lèi)電子產(chǎn)品，如手機，用的非常多，下面作者就舉一些實(shí)例：

鎂合金是功能化與結構化相結合，既能實(shí)現電磁屏蔽功能，又能實(shí)現工程結構承重的帶有“智能化”特性的屏蔽材料。但這種方法對電磁屏蔽作用存在一定的爭議，暫時(shí)不要將其做主要方法。

實(shí)際上，屏蔽體上面不可避免地存在各種縫隙、開(kāi)孔以及進(jìn)出電纜等各種缺陷，這些缺陷將對屏蔽體的屏蔽效能有急劇的劣化作用。理想屏蔽體在30MHz以上的屏蔽效能已經(jīng)足夠高，遠遠超過(guò)工程實(shí)際的需要。真正決定實(shí)際屏蔽體的屏蔽效能的因素是各種電氣不連續缺陷，包括：縫隙、開(kāi)孔、電纜穿透等。屏蔽體上面的縫隙十分常見(jiàn)，特別是目前機柜、插箱均是采用拼裝方式，其縫隙十分多，如果處理不妥，縫隙將急劇劣化屏蔽體的屏蔽效能。

如果導體從屏蔽體中穿出去，將對屏蔽體的屏蔽效能產(chǎn)生顯著(zhù)的劣化作用。這種穿透比較典型的是電纜從屏蔽體中穿出。如圖2-6所示。

電纜穿透的作用是將屏蔽體內外通過(guò)導線(xiàn)連通，等效于兩個(gè)背靠背的天線(xiàn)，對屏蔽體的屏蔽有極大的影響。

為了避免電纜穿透對屏蔽體的影響，可以從幾個(gè)方面采取措施：

1）采用屏蔽電纜時(shí)，屏蔽電纜在出屏蔽體時(shí)，采用夾線(xiàn)結構，保證電纜屏蔽層與屏蔽體之間可靠接地，提供足夠低的接觸阻抗。

2）采用屏蔽電纜時(shí)，用屏蔽連接器轉接將信號接出屏蔽體，通過(guò)連接器保證電纜屏蔽層的可靠接地。

3）采用非屏蔽電纜時(shí)，采用濾波連接器轉接，保證電纜與屏蔽體之間有足夠低的高頻阻抗。

4）采用非屏蔽電纜時(shí)，電纜在屏蔽體的內側（或者外側）要足夠短，使干擾信號不能有效地耦合出去，從而減小了電纜穿透的影響。

5）電源線(xiàn)通過(guò)電源濾波器出屏蔽體，保證電源線(xiàn)與屏蔽體之間有足夠低的高頻阻抗。