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EMC理論基礎知識系列:電磁屏蔽

電磁兼容性(Electro Magnetic Compatibility,EMC),是指設備或系統在其電磁環(huán)境中符合要求運行并不對其環(huán)境中的任何設備產(chǎn)生無(wú)法忍受的電磁干擾的能力。因此,EMC包括兩個(gè)方面的要求:一方面是指設備在正常運行過(guò)程中對所在環(huán)境產(chǎn)生的電磁干擾不能超過(guò)一定的限值;另一方面是指器具對所在環(huán)境中存在的電磁干擾具有一定程度的抗擾度,即電磁敏感性。本系列將為新手們講述EMC理論基礎知識,本文主要介紹電磁屏蔽理論,感興趣的朋友可以看看。

      1、 屏蔽效能的感念屏蔽是利用屏蔽體來(lái)阻擋或減小電磁能傳輸的一種技術(shù),是抑制電磁干擾的重要手段之一。屏蔽有兩個(gè)目的,一是限值內部輻射的電磁能量泄漏出該內部區域,二是防止外來(lái)的輻射干擾進(jìn)入某一區域。


  電磁場(chǎng)通過(guò)金屬材料隔離時(shí),電磁場(chǎng)的強度將明顯降低,這種現象就是金屬材料的屏蔽作用。我們可以用同一位置無(wú)屏蔽體時(shí)電磁場(chǎng)的強度與加屏蔽體之后電磁場(chǎng)的強度之比來(lái)表征金屬材料的屏蔽作用,定義屏蔽效能(ShieldingEffectiveness,簡(jiǎn)稱(chēng) SE):





  2、屏蔽體上孔縫的影響


  實(shí)際上,屏蔽體上面不可避免地存在各種縫隙、開(kāi)孔以及進(jìn)出電纜等各種缺陷,這些缺陷將對屏蔽體的屏蔽效能有急劇的劣化作用。


  上節中分析的理想屏蔽體在 30MHz以上的屏蔽效能已經(jīng)足夠高,遠遠超過(guò)工程實(shí)際的需要。真正決定實(shí)際屏蔽體的屏蔽效能的因素是各種電氣不連續缺陷,包括:縫隙、開(kāi)孔、電纜穿透等。


  屏蔽體上面的縫隙十分常見(jiàn),特別是目前機柜、插箱均是采用拼裝方式,其縫隙十分多,如果處理不妥,縫隙將急劇劣化屏蔽體的屏蔽效能。


  3、孔縫屏蔽的總體設計思想


  根據小孔耦合理論,決定孔縫泄漏量的因素主要有兩個(gè):孔縫面積和孔縫最大線(xiàn)度尺寸。兩者皆大,則泄漏最為嚴重;面積小而最大線(xiàn)度尺寸大則電磁泄漏仍然較大。如圖所示為一典型機柜示意圖,上面的孔縫主要分為四類(lèi):



  (1)機箱(機柜)接縫

  該類(lèi)縫雖然面積不大,但其最大線(xiàn)度尺寸即縫長(cháng)卻非常大,由于維修、開(kāi)啟等限制,致使該類(lèi)縫成為電子設備中屏蔽難度最大的一類(lèi)孔縫,采用導電襯墊等特殊屏蔽材料可以有效地抑制電磁泄漏。該類(lèi)孔縫屏蔽設計的關(guān)鍵在于:合理地選擇導電襯墊材料并進(jìn)行適當的變形控制。


  (2)通風(fēng)孔

  該類(lèi)孔面積和最大線(xiàn)度尺寸較大,通風(fēng)孔設計的關(guān)鍵在于通風(fēng)部件的選擇與裝配結構的設計。在滿(mǎn)足通風(fēng)性能的條件下,應盡可能選用屏效較高的屏蔽通風(fēng)部件。


  (3)觀(guān)察孔與顯示孔

  該類(lèi)型孔面積和最大線(xiàn)度尺寸較大,其設計的關(guān)鍵在于屏蔽透光材料的選擇與裝配結構的設計。


  (4)連接器與機箱接縫

  這類(lèi)縫的面積與最大線(xiàn)度尺寸均不大,但由于在高頻時(shí)導致連接器與機箱的接觸阻抗急劇增大,從而使得屏蔽電纜的共模傳導發(fā)射變大,往往導致整個(gè)設備的輻射發(fā)射出現超標,為此應采用導電橡膠等連接器導電襯墊。


  由于輻射源分為近區的電場(chǎng)源、磁場(chǎng)源和遠區的平面波,因此屏蔽體的屏蔽性能依據輻射源的不同,在材料選擇、結構形狀和對孔縫泄漏控制等方面都有所不同。在設計中要達到所需的屏蔽性能,則需首先確定輻射源,明確頻率范圍,再根據各個(gè)頻段的典型泄漏結構,確定控制要素,進(jìn)而選擇恰當的屏蔽材料,設計屏蔽殼體。


  綜上所述,孔縫抑制的設計要點(diǎn)歸納為:

  (1)合理選擇屏蔽材料;

  (2)合理設計安裝互連結構。


  4、孔洞泄露的評估

  機箱上不可避免地會(huì )有各種孔洞,這些孔洞最終決定了屏蔽體的屏蔽效能(假設沒(méi)有電纜穿過(guò)機箱)。一般可以認為,屏蔽機箱在低頻時(shí)的屏蔽效能主要取決于制造屏蔽體的材料,在高頻時(shí)的屏蔽效能主要取決于機箱上的孔洞和縫隙。當電磁波入射到一個(gè)孔洞時(shí),孔洞的作用是相當于一個(gè)偶極天線(xiàn)。當縫隙的長(cháng)度達到1/2時(shí),其輻射效率最高(與縫隙的寬度無(wú)關(guān))。也就是說(shuō),它可以入射到縫隙的全部能量輻射出去,如圖所示。





  在遠場(chǎng)區,如果孔洞的最大尺寸L小于λ/2,一個(gè)厚度為0的材料上的縫隙的屏蔽效能為:


  如果L大于λ/2,則SE=0(dB)。

式中:SE──屏蔽效能(dB);

    L──孔洞的長(cháng)度(mm);

    H──孔洞的寬度(mm);

    f──入射電磁波的頻率(MHz)。


  這個(gè)公式計算的是最壞情況下(造成最大泄露的極化方向)的屏蔽效能,實(shí)際情況下屏蔽效能可能會(huì )更高一些。


  在近場(chǎng)區,孔洞的泄露還與輻射源是磁場(chǎng)源有關(guān)。當輻射源是電場(chǎng)源時(shí),孔洞的泄露比遠場(chǎng)小(屏蔽效能高);而當輻射源是磁場(chǎng)源時(shí),孔洞的泄露比遠場(chǎng)大(屏蔽效能低)。


對于不同電路阻抗Zc的輻射源,計算公式如下:

  若ZC>(7.9/Df):(電場(chǎng)源)


  若ZC<(7.9>


式中:SE──屏蔽效能(dB);

     L──孔洞的長(cháng)度(mm);

     H──孔洞的寬度(mm);

     f──入射電磁波的頻率(MHz)。


  這個(gè)公式計算的是最壞情況下(造成最大泄漏的極化方向)的屏蔽效能,實(shí)際情況下屏蔽效能可能會(huì )更高一些。


  需要注意的問(wèn)題是,對于磁場(chǎng)輻射源,孔洞在近場(chǎng)區的屏蔽效能與電磁波的頻率沒(méi)有關(guān)系,也就是說(shuō),很小的孔洞也可能導致較大的泄漏。這時(shí)影響屏蔽效能的一個(gè)更重要參數是孔洞到輻射源的距離??锥淳嚯x輻射源越近,泄漏越大。這個(gè)特點(diǎn)往往導致屏蔽體發(fā)生意外的泄漏。因為在屏蔽體上開(kāi)孔的一個(gè)目的是通風(fēng)散熱,這意味著(zhù)會(huì )很自然地將孔洞設計在靠近發(fā)熱源附近,而發(fā)熱源往往是大電流的載體,在其周?chē)休^強的磁場(chǎng)。結果,無(wú)意識地將孔洞開(kāi)在強磁場(chǎng)輻射源的附近。因此,在設計中,要注意孔洞和縫隙要遠離電流載體,例如線(xiàn)路板、電纜、變壓器等。


  當N個(gè)尺寸相同的孔洞排列在一起,并且相距較近(距離小于λ/2)時(shí),孔洞陣列的屏蔽效能會(huì )下降,下降數值為10lgN。


  因為孔洞的輻射有方向性,因此在不同面上的孔洞不會(huì )明顯增加泄漏,利用這個(gè)特點(diǎn)可以在設計時(shí)將孔洞放在屏蔽機箱的不同面,避免某一個(gè)面的輻射過(guò)強。

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