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電路級靜電防護技巧

寫(xiě)在前邊的話(huà)

很早就想把自己在手機產(chǎn)品設計中的電磁兼容方面的理解寫(xiě)出來(lái)和大家分享,但是構想的內容過(guò)于龐大,都沒(méi)有實(shí)施??梢韵劝烟峋V在這里秀一下:


  • 1.靜電防護

  • 2.TDDnoise防治

  • 3.EMI filter與接收機靈敏度

  • 4.手機4層板layout技巧

  • 5.信號完整性

  • 6.……


即使寫(xiě)靜電防護也有很多內容,如相關(guān)標準,放電模型,芯片內部防護結構,系統級、板級、電路級靜電防護等等?,F在先找里面一部分《電路級靜電防護》跟大家分享一下。

一、靜電放電波形和能量頻譜

靜電放電(ESD)理論研究的已經(jīng)相當成熟,為了模擬分析靜電事件,前人設計了很多靜電放電模型。

常見(jiàn)的靜電模型有:人體模型(HBM),帶電器件模型,場(chǎng)感應模型,場(chǎng)增強模型,機器模型和電容耦合模型等。芯片級一般用HBM做測試,而電子產(chǎn)品則用IEC 6 1000-4-2的放電模型做測試。為對 ESD 的測試進(jìn)行統一規范,在工業(yè)標準方面,歐共體的 IEC 61000-4-2 已建立起嚴格的瞬變沖擊抑制標準;電子產(chǎn)品必須符合這一標準之后方能銷(xiāo)往歐共體的各個(gè)成員國。因此,大多數生產(chǎn)廠(chǎng)家都把 IEC 61000-4-2看作是 ESD 測試的事實(shí)標準。我國的國家標準(GB/T 17626.2-1998)等同于I EC 6 1000-4-2。大多是實(shí)驗室用的靜電發(fā)生器就是按 IEC 6 1000-4-2的標準,分為接觸放電和空氣放電。靜電發(fā)生器的模型如圖 1。 放電頭按接觸放電和空氣放電分尖頭和圓頭兩種。



IEC 61000-4-2的 靜電放電的波形如圖2,可以看到靜電放電主要電流是一個(gè)上升沿在1nS左右的一個(gè)上升沿,要消除這個(gè)上升沿要求ESD保護器件響應時(shí)間要小于這個(gè)時(shí)間。靜電放電的能量主要集中在幾十MHz到500MHz,很多時(shí)候我們能從頻譜上考慮,如濾波器濾除相應頻帶的能量來(lái)實(shí)現靜電防護。其放電頻譜如下,這個(gè)圖是我自己畫(huà)的,只能定性的看,不能定量。


IEC 61000-4-2規定了幾個(gè)試驗等級,目前手機CTA測試執行得是3級,即接觸放電6KV,空氣放電8KV。很多手機廠(chǎng)家內部執行更高的靜電防護等級。

當集成電路( IC )經(jīng)受靜電放電( ESD)時(shí),放電回路的電阻通常都很小,無(wú)法限制放電電流。例如將帶靜電的電纜插到電路接口上時(shí),放電回路的電阻幾乎為零,造成高達數十安培的瞬間放電尖峰電流,流入相應的 IC 管腳。瞬間大電流會(huì )嚴重損傷 IC ,局部發(fā)熱的熱量甚至會(huì )融化硅片管芯。 ESD 對 IC的損傷還包括內部金屬連接被燒斷,鈍化層受到破壞,晶體管單元被燒壞。

ESD 還會(huì )引起 IC 的死鎖( LATCHUP)。這種效應和 CMOS 器件內部的類(lèi)似可控硅的結構單元被激活有關(guān)。高電壓可激活這些結構,形成大電流信道,一般是從 VCC 到地。串行接口器件的死鎖電流可高達 1A 。死鎖電流會(huì )一直保持,直到器件被斷電。不過(guò)到那時(shí), IC 通常早已因過(guò)熱而燒毀了。

電路級ESD防護方法

1、并聯(lián)放電器件。

常用的放電器件有TVS,齊納二極管,壓敏電阻,氣體放電管等。如圖

1.1、齊納二極管( Zener Diodes ,也稱(chēng)穩壓二極管 ) 。 利用齊納二極管的反向擊穿特性可以保護 ESD敏感器件。但是齊納二極管通常有幾十 pF 的電容,這對于高速信號(例如 500MHz)而言,會(huì )引起信號畸變。齊納二極管對電源上的浪涌也有很好的吸收作用。

1.2、瞬變電壓消除器 TVS(Transient Voltage Suppressor) 。 TVS 是一種固態(tài)二極管,專(zhuān)門(mén)用于防止 ESD 瞬態(tài)電壓破壞敏感的半導體器件。與傳統的齊納二極管相比, TVS 二極管 P/N 結面積更大,這一結構上的改進(jìn)使 TVS 具有更強的高壓承受能力,同時(shí)也降低了電壓截止率,因而對于保護手持設備低工作電壓回路的安全具有更好效果。

TVS二極管的瞬態(tài)功率和瞬態(tài)電流性能與結的面積成正比。該二極管的結具有較大的截面積,可以處理閃電和 ESD所引起的高瞬態(tài)電流。TVS也會(huì )有結電容,通常0.3個(gè)pF到幾十個(gè)pF。TVS有單極性的和雙極性的,使用時(shí)要注意。手機上用的TVS大約0.01$,低容值的約2-3分$。

1.3、多層金屬氧化物結構器件 (MLV),大陸一般稱(chēng)為壓敏電阻。 MLV也可以進(jìn)行有效的瞬時(shí)高壓沖擊抑制,此類(lèi)器件具有非線(xiàn)性電壓 - 電流 ( 阻抗表現 ) 關(guān)系,截止電壓可達最初中止電壓的 2 ~ 3倍。這種特性適合用于對電壓不太敏感的線(xiàn)路和器件的靜電或浪涌保護,如電源回路,按鍵輸入端等。手機用壓敏電阻約0.0015$,大約是TVS價(jià)格的1/6,但是防護效果沒(méi)有TVS好,且壓敏電阻有壽命老化。

2、串聯(lián)阻抗

一般可以通過(guò)串聯(lián)電阻或者磁珠來(lái)限制ESD放電電流,達到防靜電的目的。如圖。如手機的高輸入阻抗的端口可以串1K歐電阻來(lái)防護,如ADC,輸入的GPIO,按鍵等。不要擔心0402的電阻會(huì )被打壞,實(shí)踐證明是打不壞的。這里不詳細分析。用電阻做ESD防護幾乎不增加成本。如果用磁珠,磁珠的價(jià)格大約0.002$,和壓敏電阻差不多.

3、增加濾波網(wǎng)絡(luò )

前面提到了靜電的能量頻譜,如果用濾波器濾掉主要的能量也能達到靜電防護的目的。

對于低頻信號,如GPIO輸入,ADC,音頻輸入可以用1k+1000PF的電容來(lái)做靜電防護,成本可以忽略,性能不比壓敏電阻差,如果用1K+50PF的壓敏電阻(下面講的復合防護措施),效果更好,經(jīng)驗證明這樣防護效果有時(shí)超過(guò)TVS。


對于射頻天線(xiàn)的微波信號,如果用TVS管,壓敏等容性器件來(lái)做靜電防護,射頻信號會(huì )被衰減,因此要求TVS的電容很低,這樣增加ESD措施的成本。對于微波信號可以對地并聯(lián)一個(gè)幾十nH的電感來(lái)為靜電提供一個(gè)放電通道,對微波信號幾乎沒(méi)有影響,對于900MHZ和1800MHz的手機經(jīng)常用22nH的電感。這樣能把靜電主要能量頻譜上的能量吸收掉很多。


4、復合防護

有一種器件叫EMI filter,他有很好的ESD防護效果,如圖。EMI filter也有基于TVS管的和基于壓敏電阻的,前者效果好,但很貴,后者廉價(jià),一般4路基于壓敏電阻的EMI價(jià)格在0.02$.

實(shí)際應用中可以用下面的一個(gè)電阻+一個(gè)壓敏電阻的方式。他既有低通濾波器的功能,又有壓敏電阻的功能,還有電阻串聯(lián)限流的功能。是性?xún)r(jià)比最好的防護方式,對于高阻信號可以采用1K電阻+50PF壓敏;對于耳機等音頻輸出信號可以采用100歐電阻+壓敏電阻;對于TP信號串聯(lián)電阻不能太大否則影響TP的線(xiàn)性,可以采用10歐電阻。雖然電阻小了,低通濾波器效果已經(jīng)沒(méi)有了,但限流作用還是很重要的。

5、增加吸收回路

可以在敏感信號附件增加地的漏銅,來(lái)吸收靜電。道理和避雷針原理一樣。

在信號線(xiàn)上放置尖端放電點(diǎn)(火花隙)在山寨手機設計中也經(jīng)常應用。

翻蓋機受話(huà)器上TVS管或壓敏電阻應該放在哪?

很多人理解靜電防護器件在layout時(shí)要靠近端口擺放,翻蓋機或者滑蓋機受話(huà)器(receiver,rec)上的TVS或壓敏電阻要放在上板靠近rec的地方。其實(shí)不然,請看下面分析。

這是一個(gè)翻蓋機或者滑蓋機,的等效電路,TVS在上板,主IC在主板,中間用比較長(cháng)的FPC連接。rec是個(gè)線(xiàn)圈,不怕靜電,怕靜電的是IC。

中間的電感分別是FPC上地網(wǎng)絡(luò )和信號線(xiàn)的等效電感。當靜電打在rec上時(shí),由于TVS的鉗位作用和等效電容存在,靜電放電瞬時(shí)REC信號線(xiàn)上的電壓Ub和小板的電壓Ug可以看成相等的,靜電荷要從FPC的地網(wǎng)絡(luò )轉移一部分到主板的地上,這時(shí)會(huì )在主板的地和小板的地之間產(chǎn)生一個(gè)壓差Ug-0=Ug。對于信號線(xiàn)如果是高祖狀態(tài),即使FPC存在更大的等效電感,但是因為高阻抗不會(huì )產(chǎn)生電流,Ua和Ub可以看成是一致的,這樣Ua=Ub=Ug,也就是芯片端和地之間會(huì )產(chǎn)生一個(gè)電壓差,這個(gè)壓差幾乎等于放電瞬間小板地合主板地的電壓差,這個(gè)電壓差如果很大會(huì )使IC損壞。電壓差大小取決于ESD放電的等級和FPC地上的等效阻抗和電感。如果是非高祖信號會(huì )有一點(diǎn)電流,電流大了芯片也就壞了。這樣也可以近似看成Ua=Ub=Ug。因此TVS或壓敏電阻放在上板如果靜電達到rec上會(huì )有問(wèn)題。

假如靜電打在小板的地上,由于TVS或壓敏的鉗位和等效電容,同樣Ub=Ug。由于FPC的地上等效電感存在,Ug和主板地會(huì )存在壓差。信號線(xiàn)上沒(méi)有電流Ua=Ub=Ug。Ua加在芯片端口上會(huì )打壞芯片。

假如靜電打在主板地上,主板地上電荷部分會(huì )往小板地轉移,產(chǎn)生電流,電流在FPC地等效電感上產(chǎn)生電壓,同樣會(huì )在主板地和小板地之間的電壓會(huì )直接加在芯片兩端燒壞芯片。

如果TVS或壓敏電阻加在主板上,如圖由于TVS或壓敏的鉗位作用,Ua和地之間電壓不會(huì )太高起到保護芯片的作用。靜電放在rec上,電流傳導到主板上被TVS吸收掉,電荷打在小板地和主板地上都和信號線(xiàn)沒(méi)有關(guān)系。

靜電防戶(hù)器件應該放在哪?

rec情況如此,其他信號線(xiàn)電源也如此。

上面分析的是用FPC連接兩個(gè)板的情況,其實(shí)即使一塊板子地上也會(huì )有阻抗的存在,這么看靜電防護器件靠近芯片越近越好,即保護誰(shuí)就靠近誰(shuí)。特別是沒(méi)有完整地層的板子。

但有個(gè)問(wèn)題如果靠近芯片在端口到TVS這段走線(xiàn)會(huì )存在大的放電電流和電壓,這樣會(huì )干擾到與其相鄰的為保護的信號線(xiàn)。鑒于手機主板有完整地層,地上等效阻抗比較小,建議把靜電防護器件放在主板的接口處,但不能放在小板,按鍵板等上面。

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