1適用范圍
本標準適用于額定電壓U0/U為3.6/6-26/35kV交聯(lián)聚乙烯絕緣電纜、10kV架空絕緣電纜絕緣擠出工序檢驗。
2本規范依據
GB/T12706.2-2008額定電壓1kV（Um=1.2kV）到35kV（Um=40.5kV）擠包絕緣電力電纜及附件 第2部分：額定電壓6kV（Um=7.2kV）到30kV (Um=36kV)電纜
GB/T12706.3-2008額定電壓1kV（Um=1.2kV）到35kV（Um=40.5kV）擠包絕緣電力電纜及附件 第3部分：額定電壓35kV（Um=40.5kV）電纜
GB/T14049-2008 額定電壓10kV架空絕緣電纜
3質(zhì)量要求
3.1原材料
該工序所用的絕緣材料和內、外半導電屏蔽料，應符合相應的原材料采購規范和工藝
文件要求。導體應符合工藝文件的規定。
3.2絕緣
3.2.1擠包質(zhì)量
3.2.1.1厚度
交聯(lián)電纜絕緣、架空電纜絕緣厚度的平均值分別應不小于表1、表2規定的標稱(chēng)值，絕
緣最薄點(diǎn)厚度不小于標稱(chēng)厚度的90%-0.1mm。
表1
電壓等級
kV
6/6
6/10
8.7/10
8.7/15
26/35
最小
標稱(chēng)
最大
最小
標稱(chēng)
最大
最小
標稱(chēng)
最大
導體屏蔽
0.4
0.6
0.8
0.4
0.6
0.8
0.8
1.0
1.2
絕 緣
3.0
3.4
3.8
4.0
4.5
5.0
9.4
10.5
11.5
絕緣屏蔽
0.5
0.7
0.9
0.5
0.7
0.9
0.8
1.0
1.2
注：表1中最小值只最薄點(diǎn)厚度，最大值指最厚點(diǎn)厚度
3.2.1偏心度
絕緣層偏心要求為不大于15%：
最厚處厚度-最薄處厚度
F = ×100%
最厚處厚度
3.2.2交聯(lián)質(zhì)量
3.2.2.1熱延伸試驗應符合表3規定。
表2
標稱(chēng)
截面
mm2
導體屏蔽層近似厚度
mm
絕緣標稱(chēng)厚度mm
10kV
35kv
10kv
35kv
薄絕緣
普通絕緣
10
0.5
-
-
3.4
-
16
0.5
-
-
3.4
-
25
0.5
-
2.5
3.4
-
35
0.5
-
2.5
3.4
-
50
0.5
-
2.5
3.4
9.3
70
0.5
0.8
2.5
3.4
9.3
95
0.6
0.8
2.5
3.4
9.3
120
0.6
0.8
2.5
3.4
9.3
150
0.6
0.8
2.5
3.4
9.3
185
0.6
0.8
2.5
3.4
9.3
240
0.6
0.8
2.5
3.4
9.3
300
0.6
0.8
2.5
3.4
9.3
注：1、輕型薄絕緣結構架空電纜無(wú)內半導電屏蔽層；
2、承載型架空絕緣電纜導體屏蔽、絕緣厚度與同規格電纜一樣。
3、絕緣平均厚度應不小于標稱(chēng)厚度，最薄點(diǎn)厚度應不小于標稱(chēng)值的90%-0.1mm
表3
檢驗項目
單位
性能要求
熱延伸試驗
-
-
處理條件：空氣溫度
℃
200
溫度偏差
℃
±3
載荷時(shí)間
Min
15
機械應力
N/cm2
20
負荷下最大伸長(cháng)率
%
175
冷卻后最大永久伸長(cháng)率
%
15
3.3導體屏蔽（內屏蔽）
3.3.1厚度
擠包的半導電內屏蔽層標稱(chēng)厚度，最薄點(diǎn)厚度應符合表1規定。
3.3.2表面質(zhì)量
內屏蔽表面應光滑、無(wú)明顯絞線(xiàn)凸紋，不應有尖角、顆粒、燒焦或擦傷的痕跡。
3.4絕緣屏蔽（外屏蔽）
3.4.1材料
額定電壓U0為12kV以下電纜的擠壓包交聯(lián)型半導電絕緣屏蔽應是可剝離的。
3.4.2厚度擠包的半導電外屏蔽層的厚度符合表1規定。
3.4.3剝離力
可剝離半導電層應經(jīng)受剝離試驗，試驗方法GB/T12706.2-2008的第19.21條規定，
剝離力不小于4N但不大于45N。
3.4.4擠塑質(zhì)量
外屏蔽塑化應良好，表面應光滑，不應有尖角，顆粒，燒焦、擦傷和交聯(lián)副產(chǎn)品的痕跡。
4檢驗方法和規則
4.1本工序按表4規定檢驗。
表4
序號
項目
條文號
試驗方法
檢驗規則
1
使用材料
第3.1條
核對
抽檢
2
擠包質(zhì)量
2.1
厚度
第3.2.1.1條
GB/T2951.1-2007
第3.3.1條
第3.4.2條
2.2
偏芯
第3.2.1.2條
GB/T2951.1-2007
2.3
表面質(zhì)量
第3.2.1.2條
目測
第3.4.4條
目測
3
交聯(lián)質(zhì)量
GB/T2951.5-2007
首檢和抽檢
3.1
熱延伸
第3.2.2.1條
GB/T2951.5-2007
每盤(pán)抽檢
4
第19.21條
第19.21條
GB/T12706.2-2002
按10%批量抽檢
4.2外半導電剝離試驗：按GB/T12706.2-2008的第19.21條規定，剝離力不小于4N但不大
于45N。
4.3熱延伸性能檢驗的規定。
4.3.1為確定交聯(lián)質(zhì)量，每盤(pán)
交聯(lián)電纜內芯熱延伸試驗應及時(shí)進(jìn)行檢查。
4.3.2熱延伸指標見(jiàn)表3規定。
4.4半成品標識100%人工在線(xiàn)檢查，并作好詳細記錄。
