位于美國馬薩諸塞州陶頓（Taunton）的微型顯示器制造商Kopin公司,開(kāi)發(fā)出了一種新穎的外延電阻性接點(diǎn)（EpitaxialOhmicContact）技術(shù),該技術(shù)能夠在減小接點(diǎn)電阻的同時(shí)提高接點(diǎn)的穩定性,這樣就可以制造出非常適合于諸如便攜式和商業(yè)照明應用等苛刻環(huán)境的LED。這一首次將單晶結點(diǎn)形成于氮化鎵（GaN）之上的研發(fā)成果有望實(shí)現比常用的多晶結點(diǎn)更為優(yōu)越的性能。每根引線(xiàn)與襯底相連接的位置一直是LED結構設計中的一個(gè)突出的弱點(diǎn),而且,接點(diǎn)
位于美國馬薩諸塞州陶頓（Taunton）的微型顯示器制造商Kopin公司,開(kāi)發(fā)出了一種新穎的外延
電阻性接點(diǎn)（Epitaxial Ohmic Contact）技術(shù),該技術(shù)能夠在減小接點(diǎn)電阻的同時(shí)提高接點(diǎn)的穩定性,這樣就可以制造出非常適合于諸如便攜式和商業(yè)照明應用等苛刻環(huán)境的
LED。這一首次將單晶結點(diǎn)形成于氮化鎵（GaN）之上的研發(fā)成果有望實(shí)現比常用的多晶結點(diǎn)更為優(yōu)越的性能。
每根引線(xiàn)與襯底相連接的位置一直是LED結構設計中的一個(gè)突出的弱點(diǎn),而且,接點(diǎn)的電阻也是改善電氣性能的一個(gè)障礙。提高接點(diǎn)的溫度穩定性并減小其電阻可以降低物理遲滯和驅動(dòng)電壓方面的要求。
接點(diǎn)是通過(guò)將金、鎳和金這三個(gè)金屬層沉積在一個(gè)p型GaN表面,并在空氣中進(jìn)行30分鐘470℃的退火處理的方法來(lái)形成的。與p-GaN相接觸的金層通過(guò)域匹配（Domain Matching）進(jìn)行外延生長(cháng),其作用是為通過(guò)晶格匹配（Lattice Matching）來(lái)進(jìn)行鎳氧化物的生長(cháng)提供一個(gè)模板。
經(jīng)測量,采用該技術(shù)可實(shí)現約 10μΩ/cm2的接點(diǎn)電阻,并能在30分鐘的時(shí)間里耐受高達350℃的溫度。結合這家制造商的其他改進(jìn)措施,該技術(shù)能夠制造出只需2.9V（而非現用的3.3V）驅動(dòng)電壓的性能穩定的藍色LED。如需了解更多信息
本站僅提供存儲服務(wù)，所有內容均由用戶(hù)發(fā)布，如發(fā)現有害或侵權內容，請
點(diǎn)擊舉報。
