央視網(wǎng)消息：由中科院院士、北京大學(xué)教授彭練矛和張志勇教授帶領(lǐng)的團隊經(jīng)過(guò)多年的科研探索，在碳基半導體制備材料研究領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，該科研成果近日發(fā)表在國際權威學(xué)術(shù)期刊《科學(xué)》上。
彭練矛和張志勇教授帶領(lǐng)科研團隊在四英寸基底上制備出密度高達每微米120根、半導體純度超過(guò)99.9999%的碳納米管平行陣列，并在此基礎上首次實(shí)現了性能超越同等柵長(cháng)硅基CMOS的晶體管和電路，成功突破了長(cháng)期以來(lái)阻礙碳納米管電子學(xué)發(fā)展的瓶頸。
相比傳統硅基技術(shù)，碳基半導體具有成本更低、功耗更小、效率更高的優(yōu)勢，因此也被視作是性能更好的半導體材料。與國外硅基技術(shù)制造出來(lái)的芯片相比，我國碳基技術(shù)制造出來(lái)的芯片在處理大數據時(shí)不僅速度會(huì )更快，而且至少能節約30%左右的功耗。
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