《單片機原理與應用》試題
（時(shí)間：120分鐘 分數：100分）
一。填空題
1．MCS—51單片機的P0—P4口均是 I／O口，其中的P0口和P2口除了可以進(jìn)行數據的輸入、輸出外，通常還用來(lái)構建系統的 和 ，在P0—P4口中， 為真正的雙向口， 為準雙向口。
2．MCS—5l單片機的堆棧區只可設置在 ，堆棧寄存器5P是 位寄存器。
3．MCS—51單片機外部中斷請求信號有電平方式和 ，在電平方式下，當采集到INT0、INT1的有效信號為 時(shí)，激活外部中斷。
4．定時(shí)器／計數器的工作方式3是指的將 拆成兩個(gè)獨立的8位計數器。而另一個(gè)定時(shí)器／計數器此時(shí)通常只可作為 使用。
5．MCS—96單片機的最大尋址空間是 ，該空間的地址范圍為 ，系統上電及復位的程序入口地址為 ，芯片配置字節CCB的地址為 。
二、簡(jiǎn)答題(15分，每小題5分)
1．51系列單片機具有幾個(gè)中斷源，分別是如何定義的?其中哪些中斷源可以被定義為高優(yōu)先級中斷，如何定義?
2．各中斷源對應的中斷服務(wù)程序的入口地址是否能任意設定?
3．如果想將中斷服務(wù)程序放置在程序存儲區的任意區域，在程序中應該作何種設置?請舉例加以說(shuō)明。
三、參數計算題(16分)
已知一單片機系統的外接晶體振蕩器的振蕩頻率為11．059MHz，請計算該單片機系統的拍節P、狀態(tài)S、機器周期所對應的時(shí)間是多少?指令周期中的單字節雙周期指令的執行時(shí)間是多少?
四、改錯題(共5分，每小題1分)
以給出的指令操作碼為依據，請判斷MCS—5l單片機的下列各條指令的書(shū)寫(xiě)格式是否有錯誤，如有請說(shuō)明錯誤原因。
1．MUL R0R1
2．MOV A，＠R7
3．MOV A，#3000H
4．MOVC ＠A+DPTR，A
5．LJMP #1000H
五、尋址方式(5分，每問(wèn)1分)
說(shuō)明MCS—51單片機的下列各條指令中源操作數的尋址方式(可直接在每條指令后面書(shū)寫(xiě))
1．ANL A，20H
2．ADDC A，#20H
3．JZ rel
4．CLR C
5．RRA
六、使用簡(jiǎn)單指令序列完成以下操作(12分)
1．請將片外RAM20H—25H單元清零
2．請將ROM3000H單元內容送R7
七、編程題(18分)
已知一MCS—51單片機系統的片內RAM 20H單元存放了一個(gè)8位無(wú)符號數7AH，片外擴展RAM的8000H存放了一個(gè)8位無(wú)符號數86H，試編程完成以上兩個(gè)單元中的無(wú)符號數相加，并將和值送往片外RAM的01H、00H單元中，同時(shí)將所編寫(xiě)程序運行完成后的數據和狀態(tài)添入下表中給出的PSW的有關(guān)位以及寄存器A、DPTR和RAM單元中。
CY
A
DPTR
片外01H
片外00H
片外8000H
八、判讀電路題(14分)
下圖為MCS—51單片機系統中混合擴展多片存儲器2764、6264芯片部分連線(xiàn)電路圖。
試分析電路并回答下列問(wèn)題：
1．請簡(jiǎn)單敘述2764芯片的功能、容量，在電路中起什么作用?
2．請簡(jiǎn)單敘述6264芯片的功能、容量，在電路中起什么作用?
3．請分析各片2764、6264所占用的單片機數據存儲空間的地址范圍是多少?
答案及評分標準
一、填空題(15分，每空1分)
1．并行數據總線(xiàn) 地址總線(xiàn)P0 P1—P3
2．片內數據存儲區(器)
3．脈沖方式 低電平
4．定時(shí)器／計數器0 串行口的波特率發(fā)生器
5．64K 0000H—FFFFH 2080H 2018H
二、簡(jiǎn)答題(15分，每小題5分)
1．具有5個(gè)中斷源，分別是外部中斷INT0和外部中斷INT1、定時(shí)器溢出中斷0和定時(shí)器溢出中斷1以及串行中斷。通過(guò)對中斷優(yōu)先級寄存器IP的設置，每個(gè)中斷源都可以被定義為高優(yōu)先級中斷。(6分)
2．各中斷源的入口地址已經(jīng)在中斷地址區中被定義了，不能任意設定。(3分)
3．如果要將中斷服務(wù)程序放置在程序存儲區的任意區域，在程序中要通過(guò)在中斷地址區的對應地址上設置跳轉指令才可實(shí)現對中斷服務(wù)程序的執行。
例如：外部中斷O的中斷服務(wù)程序INTOP放置在程序存儲區的任意區域，此時(shí)，通過(guò)以下方式，可實(shí)現對中斷服務(wù)程序的執行：(4分)
ORGO003H (2分)
JMP INTOP
列舉其他中斷跳轉的例子也可，但敘述的中斷源要與中斷地址相對應才可得分，如外中斷0對應0003H地址。
三、參數計算題(16分)
P＝1／f＝(1／11．059×106)＝0．09×10-6s
＝90ns
S＝2P＝2×90ns＝180ns
機器周期＝12P＝12×90ns＝1．08μs
雙指令周期＝2×機器周期＝2．16μs
判題標準：每問(wèn)4分，結果錯，分值全扣；結果正確，量綱錯或不寫(xiě)量綱，每問(wèn)扣1分。
四、改錯題：(共5分，每小題1分)
以給出的指令操作碼為依據，請判斷MCS—51單片機的下列各條指令的書(shū)寫(xiě)格式是否有錯誤，如有請說(shuō)明錯誤原因。
1．MUL RoRl 乘法指令應使用A、B寄存器操作
2．MOV A，＠R7 間接寄存器使用R7有誤，間址寄存器只能使用R0、R1
3．MOV A， #3000H 8位累加器A不能接受16位數據
4．MOVC ＠A+DPTR，A MOVC指令為對程序存儲區操作指令，累加器的內容不可通過(guò)變址方式送入程序存儲器，兩操作數寫(xiě)反了。
5．UMP #1000H 長(cháng)轉移指令中的操作數為16位轉移地址，不能用立即數的形式來(lái)表達。
五、尋址方式(5分，每問(wèn)1分)
說(shuō)明MCS—51單片機的下列各條指令中源操作數的尋址方式(可直接在每條指令后面書(shū)寫(xiě))
1．ANL A，20H 直接尋址
2．ADDC A， #20H 立即尋址
3．JZ rel 相對尋址
4．CLR C 位尋址
5．RRA 寄存器尋址
六、使用簡(jiǎn)單指令序列完成以下操作(12分，每小題6分)
1．請將片外RAM 20H—25H單元清零
MoV R0，#20H
MOV R7，#06H
CLR A
LOOP：MOVX ＠R0，A
INC R0
DJNZ R7，LOOP
2．請將ROM 3000H單元內容送R7
MOV DPTR， #3000H
CLR A
MOVC A，＠A+DPTR
MOV R7，A
七、編程題(18分，其中編程12分，表中每一空1分)
CY
A
DPTR
片外01H
片外00H
片外8000H
0
01H
8000H
0lH
00H
86H
MOV DPTR，#8000H ；加數單元地址送DPTR
MOVX A，＠DPTR ；取加數之一
ADD A，20H ；兩數相加
MOV R0，#00H ；和值的低位送片外00H單元
MOVx ＠R0，A
INC R0
CLR A ；計算和值的高位
ADDC A，#00H
MOVx ＠R0，A ；高位送片外01H單元
RET
編程要考慮將進(jìn)位位的值作為結果的一部分取出來(lái)。采用其他編程方式也可以，但結果是不會(huì )改變的，和值＝100H
八、判讀電路題(14分)
1．請簡(jiǎn)單敘述2764芯片的功能、容量，在電路中起什么作用?(3分)
2764為EPROM型存儲器，其容量為8K，在電路中通常是作為程序存儲器使用。
2．請簡(jiǎn)單敘述6264芯片的功能、容量，在電路中起什么作用?(3分)
6264為隨機存儲器，其容量為8K，在電路中通常是作為數據存儲器使用。
3．請分析各片2764、6264所占用的單片機數據存儲空間的地址范圍是多少?
U3：0000H—1FFFH (8分，各2分)
U4：2000H—3FFFFH
U5：Co00H—DFFFH
U6：E000H—FFFFH
