相信最近一個(gè)消息進(jìn)入人們視線(xiàn)，據BusinessKorea報道稱(chēng)，三星電子今年將憑借15%的市場(chǎng)份額、656億美元的營(yíng)收（去年是443億美元），超越Intel（預計全年營(yíng)收達620億美元）成為世界第一大半導體廠(chǎng)商。
三星和英特爾增長(cháng)都很快，英特爾 (Intel)2017第三季營(yíng)收達161.5億美元，年增34%，也超過(guò)市場(chǎng)預期。雙方的數據增長(cháng)顯示，一方面來(lái)自移動(dòng)芯片業(yè)務(wù)的需求增長(cháng)，一方面自存儲業(yè)務(wù)的增長(cháng)。由于智能手機內存和企業(yè)級服務(wù)器存儲等需求增加，DRAM內存和NAND閃存市場(chǎng)銷(xiāo)售額相對于去年都有很大的增長(cháng)。
增長(cháng)的背后是一個(gè)什么意義？至頂頭條結合最近發(fā)布的其他一些消息，一個(gè)是GPU在深度學(xué)習、高性能計算領(lǐng)域的崛起。一個(gè)是閃存芯片的變革。英特爾在2015年基于英特爾和美光聯(lián)合研發(fā)的全新的Optane系列存儲級內存（SCM）。簡(jiǎn)單說(shuō)其愿景是提供內存一樣的低延時(shí)，同時(shí)能夠提供持久性存儲的新的存儲介質(zhì)。三星也對標Optane存儲，推出Z-SSD。
這些事件結合在一起，讓我們看到一場(chǎng)巨大的變革到來(lái)。包括智能設備、手機PC服務(wù)器存儲等等所有需要三大件（計算、存儲、網(wǎng)絡(luò )）機器，走到了一個(gè)巨變階段。未來(lái)所有的手機終端、智能終端、PC以及企業(yè)級服務(wù)器、物聯(lián)網(wǎng)連接等等，都會(huì )發(fā)生巨變。因為所有與人相關(guān)的智能設備，再怎么演變，其不可缺少三大件永遠是計算、存儲和網(wǎng)絡(luò )。而計算、存儲網(wǎng)絡(luò )的巨變必將帶來(lái)整個(gè)產(chǎn)業(yè)層、應用層的變化。
在計算領(lǐng)域，我們需要創(chuàng )新，雖然未來(lái)相當長(cháng)一段時(shí)間內，通用 CPU +GPU的的模式是主流，但是誰(shuí)敢保證隨著(zhù)人工智能、深度學(xué)習的幾何式增長(cháng)，當基于深度學(xué)習的人工智能應用大量出現，量變引起質(zhì)變的時(shí)候，計算領(lǐng)域的領(lǐng)導者會(huì )發(fā)生一個(gè)什么樣的變化呢？就像可以看到的GPU應用越來(lái)越多，越來(lái)越多的GPU 結合的超級計算機的架構更適應深度學(xué)習應用優(yōu)化。
TPU（Tensor Processing Units）
更可怕的是跨界的打擊，大家都盯著(zhù)目前的芯片巨頭的時(shí)候，谷歌的自研芯片應該也很快面世，其中谷歌推出的TPU 已經(jīng)在谷歌數據中心內部使用了兩年，據谷歌工程師介紹，TPU是一款為機器學(xué)習而定制的芯片，經(jīng)過(guò)了專(zhuān)門(mén)深度機器學(xué)習方面的訓練，它有更高效能（每瓦計算能力），根據谷歌的資料TPU 在推理方面的性能要遠超過(guò) GPU，雖然在能耗上還有很大差距，但是這不妨礙人類(lèi)對于新技術(shù)的追求。
在存儲方面，創(chuàng )新更是迫切。存儲設備一直有個(gè)瓶頸就是訪(fǎng)問(wèn)速度，從磁帶到磁盤(pán)到閃存，其訪(fǎng)問(wèn)速度跟CPU比相差十萬(wàn)八千里，跟內存的訪(fǎng)問(wèn)速度也是相差太遠。
有國外媒體做了對比，如果把CPU的一級緩存的訪(fǎng)問(wèn)時(shí)長(cháng)規定為1秒，磁帶訪(fǎng)問(wèn)的相對時(shí)長(cháng)將達到6年4個(gè)月19小時(shí)33分又20秒。傳統的最快的 SSD的相對時(shí)長(cháng)為2天18小時(shí)40分鐘。DRAM訪(fǎng)問(wèn)速度是6分鐘40秒。
這么看來(lái)SSD作為未來(lái)的核心存儲，相對于內存的速度還是遠遠不如。是不是可以在這個(gè)中間在創(chuàng )造一個(gè)新的持久性存儲介質(zhì)？
英特爾就看到了這點(diǎn)，英特爾與美光聯(lián)手打造的傲騰存儲，這是一種新的非易失性固態(tài)存儲成為易失性?xún)却媾c持久性存儲之間的新事物。三星存儲也推出了經(jīng)由NAND LLC（每單元1 bit）調整而來(lái)Z-SSD。按照三星的設計標準，Z-SSD的讀取速度將是標準SSD的7倍。從技術(shù)研發(fā)來(lái)看，包括英特爾三星都看到了閃存和內存之間超大延時(shí)的一個(gè)空白。都希望推出能夠持久保存數據、但是更接近內存讀取速度的新的存儲介質(zhì)。
英特爾傲騰技術(shù)能夠提供了10倍的NAND閃存性能，和1000倍的耐久性，是NAND閃存的千分之一的延遲，是DRAM延遲的十倍，。耐久性實(shí)現將超過(guò)一百萬(wàn)次的擦寫(xiě)周期，低延遲大大提高了IO操作（如事務(wù)數據所需的）的能力，滿(mǎn)足未來(lái)對于高并發(fā)、海量計算的需求。
同時(shí)除了已經(jīng)可見(jiàn)的存儲技術(shù)，未來(lái)目前眾多芯片廠(chǎng)商在研究 “磁隨機存取存儲器”（MRAM），有望替代目前的存儲方案——DRAM（動(dòng)態(tài)隨機存儲）。與DRAM存儲技術(shù)相比，MRAM耗電量?jì)H為DRAM三分之一，但讀寫(xiě)速度卻達到前者十倍。理論上來(lái)講，MRAM存儲技術(shù)優(yōu)勢更適合于應用到物聯(lián)網(wǎng)終端和AI領(lǐng)域。
當然我們看到了目前剛推出的產(chǎn)品還沒(méi)有達到理想的狀態(tài)，但是其趨勢、其新的技術(shù)未來(lái)可能在A(yíng)I領(lǐng)域有新的價(jià)值，包括在無(wú)人汽車(chē)、自動(dòng)駕駛、人工智能等領(lǐng)域有新的實(shí)踐。因為這是對計算、存儲和網(wǎng)絡(luò )一種新的重塑，也更貼近用戶(hù)對于未來(lái)技術(shù)的理解。
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