隨著(zhù)存儲行業(yè)快速的技術(shù)迭代，LPDDR4X、UFS2.1等產(chǎn)品紛紛面市，但由于標準型內存 DRAM、NAND Flash 等微縮工藝已逼近極限，素以半導體巨頭皆正大舉發(fā)展次世代內存。
英特爾研發(fā)“3D cross point”技術(shù)，擬推相變化內存（PRAM）。三星電子不甘示弱，發(fā)布磁阻式隨機存取存儲器（MRAM，magnetoresistant random access memory），號稱(chēng)讀寫(xiě)速度比 NAND Flash 快上一千倍。
fudzilla、IBTimes、韓國經(jīng)濟日報報導，市場(chǎng)估計在 5 月 24 日的一場(chǎng)晶圓廠(chǎng)商論壇上，三星將會(huì )發(fā)布該公司所研發(fā)的 MRAM 內存，此種次世代存儲器兼具 NAND Flash 和 DRAM 的優(yōu)點(diǎn)，被認為是一種通用型存儲器，能夠讓手機實(shí)現內存/閃存二合一。它無(wú)須電源也能儲存資料，而且處理速度極快，三星還加入了自旋轉矩技術(shù)（STT），可以加大降低功耗。
MRAM結構圖（Sources:samsung）
三星宣稱(chēng)，MRAM 是非揮發(fā)性存儲器，采用自旋傳輸科技（Spin-torque transfer）讀寫(xiě)數據，速度比 NAND 快了一千倍。不僅如此，MRAM 更省電，使用時(shí)（active）耗電量比傳統存儲器少，停用時(shí)（inactive）更無(wú)需用電。
目前次世代存儲器包括 MRAM、PRAM、ReRAM，其中 MRAM 速度最快，但是量產(chǎn)難度較高?，F在三星只能少量生產(chǎn)，但是預期能盡速克服生產(chǎn)障礙。
全球最大半導體代工廠(chǎng)臺積電亦曾在 4 月 13 日對外說(shuō)明，臺積電絕對不會(huì )踏入標準型內存領(lǐng)域，因為臺積電目前已具備“量產(chǎn)”MRAM 及電阻式動(dòng)態(tài)隨機存取內存 (RRAM) 等新型內存的技術(shù)。
三星同時(shí)宣布，歐洲大廠(chǎng)恩智浦半導體（NXP Semiconductors）的物聯(lián)網(wǎng)半導體將采用 MRAM，雙方簽訂晶圓代工協(xié)定，將量產(chǎn) 28 納米的全耗盡型絕緣層上硅（FD-SOI）。
IBTimes 猜測，倘若三星 MRAM 量產(chǎn)進(jìn)展順利，或許今年下半問(wèn)世的 Galaxy Note 8 就會(huì )內建 MRAM，以便做出市場(chǎng)差異化。MRAM 用于智能手機可加快處理速度，并更為省電。
外媒phonearena持有不同意見(jiàn)，他們認為三星目前無(wú)法生產(chǎn)出超過(guò)幾兆字節M(mǎn)RAM，因此MRAM目前只適用于作為處理器的高速緩存。
不過(guò)，我們依然看好MRAM的應用前景。據知名爆料人士@i冰宇宙消息，未來(lái)MRAM將具備更大容量，作為閃存和內存二合一的存儲體，上市節點(diǎn)可能在2020年以后。
如果這一愿景成真，那么我們無(wú)需區分RAM和ROM，逆天的512G/1TB內存不再是夢(mèng)想。
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