SSD 和內存專(zhuān)家Silicon Power的 Anthony Spence回答了這個(gè)問(wèn)題。
閃存單元是 NAND 閃存的基本組成部分。數據以位的形式存儲在單元中，這些位表示單元中包含的電荷，可以通過(guò)電荷輕松地打開(kāi)和關(guān)閉。向單元添加位會(huì )增加單元可以具有的狀態(tài)數量，從而成倍地增加其容量。
此外，一個(gè)單元包含的位數是對 NAND 閃存進(jìn)行分類(lèi)的主要方法之一：
單級單元 (SLC)：它們每個(gè)單元只能存儲一位，最多可占用兩級電荷。SLC NAND 提供最高的性能、可靠性和耐用性（高達 100K P/E（編程/擦除）周期）。但是，內存密度是所有變體中最低的，每 GB 的價(jià)格也遠高于其他類(lèi)型。SLC 僅提供 2D 格式，主要用于企業(yè)設置。
多級單元 (MLC)： MLC 每個(gè)單元最多占用 2 位和四級電荷。MLC 提供 2D 和 3D 兩種版本，以比 SLC 更便宜的價(jià)格提供良好的性能、可靠性和耐用性。3D NAND 變體可以達到 30K 范圍內的 P/E 周期。
三級單元 (TLC)：TLC 每個(gè)單元存儲 3 位，最多可存儲八級電荷。TLC 常用于消費級產(chǎn)品，其性能、可靠性和耐用性均低于前兩者。然而，更便宜的價(jià)格和更高的內存密度彌補了性能的下降。3D 變體可以達到高達 3K P/E 周期。
四級單元 (QLC)：與 TLC 類(lèi)似，QLC 也常見(jiàn)于消費級產(chǎn)品中。QLC 每個(gè)單元存儲 4 位，最多可占用 16 級電荷。在列出的 4 個(gè)變體中，它具有最高的內存密度和最便宜的價(jià)格。然而，較低的價(jià)格是以性能、可靠性和耐用性（高達 1K P/E）為代價(jià)的。
五級單元 (PLC)：PLC于 2019 年發(fā)布，被譽(yù)為固態(tài)存儲技術(shù)的合乎邏輯的下一步。憑借每個(gè)單元存儲 5 位和高達 32 (2^5) 級的能力，PLC 有望擊倒 HDD 的最后一道防線(xiàn)，即以可承受的價(jià)格提供高存儲容量。PLC 將簡(jiǎn)化大容量低成本 SSD 的生產(chǎn)；然而，QLC 在耐力、速度和可靠性方面的缺陷仍然存在。
