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場(chǎng)效應管的符號及參數

結型場(chǎng)效應管:N溝道 P溝道

絕緣柵場(chǎng)效應管:N溝道增強型 N溝道耗盡型

絕緣柵場(chǎng)效應管:P溝道增強型 P溝道耗盡型

場(chǎng)效應管的參數

一、直流參數
         (1)開(kāi)啟電壓UGS(th)  (或UT)
        開(kāi)啟電壓是MOS增強型管的參數，柵源電壓小于
開(kāi)啟電壓的絕對值, 場(chǎng)效應管不能導通。 UDS一定， iD >0。
(2)夾斷電壓UGS(off)  (或UP)
    夾斷電壓是結型和耗盡型FET的參數，漏極電流約為零時(shí)的UGS值 。即當UGS=UGS(off) 時(shí),漏極電流為零（微小電流）。
(3)飽和漏極電流IDSS
        耗盡型場(chǎng)效應三極管, 當UGS=0時(shí)，產(chǎn)生預夾斷時(shí)所對應的漏極電流。
    (4)直流輸入電阻RGS（DC）
            場(chǎng)效應三極管的柵源輸入電阻的典型值，對于結型場(chǎng)效應三極管，反偏時(shí)RGS約大于107Ω，對于絕緣柵型場(chǎng)效應三極管, RGS約是109～1015Ω。 
二、交流參數
     (1)低頻跨導gm
          低頻跨導反映了柵壓對漏極電流的控制作用，即 uGS對iD的控制作用。  

gm可以在轉移特性曲線(xiàn)上求取，單位是mS(毫西門(mén)子)。

(2)極間電容：三個(gè)極間均存在電容。
(3)輸出電阻rd：

主要參數
三、極限參數
(1)最大漏級電流IDM： 正常工作漏極電流上限值。
(2)擊穿電壓
最大漏源電壓U(BR)DS
最大柵源電壓U(BR)GS
(3)最大漏極功耗PDM
最大漏極功耗可由PDM= U (BR)DS IDM決定。